Everspin在磁存储器设计,制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是*一**的。Everspin拥有**过600项有效**和申请的知识产权组合,在平面内和垂直磁隧道结(MTJ)STT-MRAM位单元的开发方面处于市场良好地位。Everspin在数据中心,云存储,能源,工业,汽车和运输市场中部署了**过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品,为**MRAM用户奠定了较强大,增长较快的基础。 介绍 MR5A16AUMA45是33,554,432位磁阻随机存取存储器(MRAM)器件,组织为2097152个16位字。MR5A16AUMA45提供SRAM兼容的35 ns读/写时序(对于汽车温度选项为45ns),并且具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路会在电源丢失时自动保护数据,以防止电压**出规格的写入。为了简化容错设计,MR5A16AUMA45包含内部单纠错码,每64个数据位具有7个ECC奇偶校验位。对于必须快速*存储和检索关键数据和程序的应用,MR5A16AUMA45是理想的存储解决方案。 MR5A16AUMA45提供小尺寸的48引脚球栅阵列(BGA)封装和54引脚的薄小外形封装(TSOP 2型)。这些封装与类似的低功耗SRAM产品和其他非易失性RAM产品兼容。 MR5A16AUMA45在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供商用温度(0至+70°C),工业温度(-40至+85°C)和汽车温度(-40至+ 125°C)工作温度选项。这些产品不符合AEC Q-100的要求。